프랙틸리아 공동 창립자 겸 CEO 에드워드 샤리에(Edward Charrier). / 사진 = 배태용 기자[디지털데일리 배태용 기자] "스토캐스틱은 지금 이 순간에도 반도체 산업의 병목으로 작용하고 있으며, 이를 해결하지 않으면 첨단 공정의 양산은 불가능합니다."16일 서울 중구 프레지던트 호텔에서 열린 기자간담회에서 프랙틸리아(Fractilia) 공동 창립자 겸 CTO 크리스 맥(Chris Mack)은 이같이 강조, 무작위적 패터닝 변동성 문제 해결을 위한 새로운 접근법을 제시했다.프랙틸리아는 이날 간담회에서 스토캐스틱 변이(Stochastic Variability)가 반도체 양산 수율을 저해하고 있다고 진단, 이를 극복하기 위한 계측·제어·설계 통합 로드맵을 공개했다. 특히, '스토캐스틱 해상도 격차(stochastic resolution gap)' 개념을 통해 연구개발(R&D) 단계와 대량양산(HVM) 단계 사이의 간극을 해소해야 한다고 밝혔다.프랙틸리아 공동 창립자 겸 CEO 에드워드 샤리에(Edward Charrier)는 "최근 몇 달 간 전 세계 반도체 기업들이 2나노미터 이하 공정에서 양산 일정을 지연하고 있으며, 이는 치명적인 수율 저하와 매출 손실로 이어지고 있다"라며 "스토캐스틱 변이는 이제 더 이상 무시할 수 없는 업계 전반의 구조적 문제"라고 말했다.프랙틸리아에 따르면, 스토캐스틱 변이는 극자외선(EUV) 리소그래피가 본격 도입되면서 공정 오차 허용 범위 내에서의 비중이 급증했다. 광원, 포토레지스트, 재료의 분자·원자 단위 무작위성이 극대화되면서, 실제 양산에서는 R&D 단계에서 구현한 12나노미터 패턴이 '울퉁불퉁한' 결과물로 나타나 수율에 심각한 영향을 미치고 있다는 설명이다.맥 CTO는 "랩(Lab)에서는 가능했던 해상도가 팹(Fab)에서는 불가능해지는 이유가 여기에 있다”며 “예를 들어, R&D 단계에서 구현한 12나노미터 패턴을 양산에서 유지하려면 수율 손실을 감수해야 하므로, 결국 기업은 피처 크기를 18나노미터로 확대하고 다이 면적을 늘릴 수밖에 없다”고 말했다. 이는 결과적으로 웨이퍼당 생산 수율을 떨어뜨리고, 단가를 높이는 구조적 손실로 이어진다는 것이다.프랙틸리아는 이 문제의 핵심을 '측정'에 있다고 보고 있다. 기존의 주사전자현미경(SEM) 계측 방식은 자체 노이즈로 인해 스토캐스프랙틸리아 공동 창립자 겸 CEO 에드워드 샤리에(Edward Charrier). / 사진 = 배태용 기자[디지털데일리 배태용 기자] "스토캐스틱은 지금 이 순간에도 반도체 산업의 병목으로 작용하고 있으며, 이를 해결하지 않으면 첨단 공정의 양산은 불가능합니다."16일 서울 중구 프레지던트 호텔에서 열린 기자간담회에서 프랙틸리아(Fractilia) 공동 창립자 겸 CTO 크리스 맥(Chris Mack)은 이같이 강조, 무작위적 패터닝 변동성 문제 해결을 위한 새로운 접근법을 제시했다.프랙틸리아는 이날 간담회에서 스토캐스틱 변이(Stochastic Variability)가 반도체 양산 수율을 저해하고 있다고 진단, 이를 극복하기 위한 계측·제어·설계 통합 로드맵을 공개했다. 특히, '스토캐스틱 해상도 격차(stochastic resolution gap)' 개념을 통해 연구개발(R&D) 단계와 대량양산(HVM) 단계 사이의 간극을 해소해야 한다고 밝혔다.프랙틸리아 공동 창립자 겸 CEO 에드워드 샤리에(Edward Charrier)는 "최근 몇 달 간 전 세계 반도체 기업들이 2나노미터 이하 공정에서 양산 일정을 지연하고 있으며, 이는 치명적인 수율 저하와 매출 손실로 이어지고 있다"라며 "스토캐스틱 변이는 이제 더 이상 무시할 수 없는 업계 전반의 구조적 문제"라고 말했다.프랙틸리아에 따르면, 스토캐스틱 변이는 극자외선(EUV) 리소그래피가 본격 도입되면서 공정 오차 허용 범위 내에서의 비중이 급증했다. 광원, 포토레지스트, 재료의 분자·원자 단위 무작위성이 극대화되면서, 실제 양산에서는 R&D 단계에서 구현한 12나노미터 패턴이 '울퉁불퉁한' 결과물로 나타나 수율에 심각한 영향을 미치고 있다는 설명이다.맥 CTO는 "랩(Lab)에서는 가능했던 해상도가 팹(Fab)에서는 불가능해지는 이유가 여기에 있다”며 “예를 들어, R&D 단계에서 구현한 12나노미터 패턴을 양산에서 유지하려면 수율 손실을 감수해야 하므로, 결국 기업은 피처 크기를 18나노미터로 확대하고 다이 면적을 늘릴 수밖에 없다”고 말했다. 이는 결과적으로 웨이퍼당 생산 수율을 떨어뜨리고, 단가를 높이는 구조적 손실로 이어진다는 것이다.프랙틸리아는 이 문제의 핵심을 '측정'에 있다고 보고 있다. 기존의 주사전자현미경(SEM) 계측 방식은 자체 노이즈로 인해 스토캐스틱 효과를 정밀하게 감지하지 못하는 한계가 있으며, 프랙틸리아는 자사 특허 기술인 FILM(Fractilia Inverse Linescan Model) 기반 '컴퓨테이셔널 계측'을 통해 이 한계를 극복했다고 밝혔다.프랙틸리아(Fr
